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三星第9代V- NAND將采用雙層堆棧架構

(相關資料圖)

三星電子有望在明年推出第9代V-NAND閃存，據(jù)悉，這款新型閃存將采用雙層堆棧架構，層數(shù)超過300層。這一舉措將使三星在競爭中領先SK海力士，后者計劃在2025年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)321層的三層堆棧架構NAND閃存。值得一提的是，三星早在2020年就首次引入了雙層堆棧架構，開始生產(chǎn)第7代V-NAND閃存芯片。 雙層堆棧架構是指在300mm晶圓上生產(chǎn)一個3D NAND堆棧，然后在第一個堆棧的基礎上再建立一個堆棧。三星即將生產(chǎn)的超過300層的第9代V-NAND將提高單個晶圓上的存儲密度，從而有利于降低固態(tài)硬盤的成本。 與此同時，SK海力士的三層堆棧架構是通過創(chuàng)建三組不同的3D NAND層來實現(xiàn)的。這種做法將增加生產(chǎn)步驟和原材料的使用量，旨在最大限度地提高產(chǎn)量。 據(jù)首爾經(jīng)濟日報報道，業(yè)界認為在三星推出第9代3D NAND之后，該公司有望在第10代的430層3D NAND中采用三層堆棧架構。業(yè)內(nèi)人士表示，如果3D NAND的層數(shù)超過400，原材料的使用量和晶圓的成本也會大幅增加，但同時也能保證產(chǎn)量。 在去年10月舉行的“2022三星科技日”上，三星提出了長期愿景，即到2030年將層數(shù)提升至1000層。這一愿景顯示了三星在3D NAND技術領域的雄心壯志。

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